將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規(guī)完全退火。?

球化退火只應用于鋼的一種退火方法。山東半導體生長爐將鋼加熱到稍低于或稍高于Ac1的溫度或者使溫度在A1上下周期變化，然后緩冷下來。山東半導體生長爐目的在于使珠光體內(nèi)的片狀滲碳體以及先共析滲碳體都變?yōu)榍蛄睿鶆蚍植加阼F素體基體中這種組織稱為球化珠光體。具有這種組織的中碳鋼和高碳鋼硬度低、被切削性好、冷形變能力大。對工具鋼來說，這種組織是淬火前的原始組織。

爐壁保溫襯里采用復合型耐溫材料模塊、全密封爐體配以進口高精度溫控儀表為控制核心的集散式DCS系統(tǒng), 相關各爐況參數(shù)均實現(xiàn)自動化模糊控制，可靠性高且運行穩(wěn)定。山東半導體生長爐全爐密封效果好，與同類爐窯相比具有日常運行及后期維護成本低廉的優(yōu)點。退火爐按熱源分類主要有電熱爐、燃煤退火爐、燃油退火爐、天然氣退火爐、煤氣退火爐等，其中以自備煤氣發(fā)生爐所產(chǎn)煤氣退火爐應用最廣泛。煤氣退火窯減去了燃燒室，直接利用煤氣燒嘴在加熱室噴射燃燒。山東半導體生長爐為了降低能耗，煤氣退火窯往往配有換熱系統(tǒng)，將空氣轉(zhuǎn)換為助燃熱風進行煤氣的助燃。

當塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發(fā)生不均勻收縮，結(jié)果就導致應力集中現(xiàn)象。山東半導體生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現(xiàn)象更明顯。山東半導體生長爐剛出模的時候表面上無異常，過段時間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應力集中部位會產(chǎn)生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內(nèi)應力、避免制品在貯存或應用時產(chǎn)生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進行退火處理。

燃料種類：與燃料熱值及燃燒的產(chǎn)物量有關，熱值越高、燃燒產(chǎn)物量越低，燃燒溫度越高。山東半導體生長爐燃料和助燃空氣的溫度：它們的溫度越高，直接帶入的顯熱越多，可提高燃燒溫度。山東半導體生長爐空氣過剩系數(shù)：適當?shù)目諝膺^剩系數(shù)，可以保證有較高的燃燒溫度。一般α略大于1過小，不完全燃燒；過大生成的煙氣量多，會使燃燒溫度降低助燃風中氧氣的濃度：提高氧氣濃度，將使燃燒產(chǎn)物減少，可以提高燃燒溫度。爐體散熱狀況及爐內(nèi)產(chǎn)品傳熱速度。