降低硬度，改善切削加工性。消除殘余應(yīng)力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細(xì)化晶粒調(diào)整組織，消除組織缺陷。四川半導(dǎo)體外延生長爐均勻材料組織和成分，改善材料性能或?yàn)橐院鬅崽幚碜鼋M織準(zhǔn)備。四川半導(dǎo)體外延生長爐在生產(chǎn)中，退火工藝應(yīng)用很廣泛。根據(jù)被加工金屬件對退火的不同需求，退火的工藝規(guī)范有多種，常用的有完全退火、球化退火、和去應(yīng)力退火等。

首先，硅碳棒加熱后形成濃密的氧化硅膜，從而生成抗氧化保護(hù)膜，延長了硅碳棒的壽命。在使用硅碳棒的過程中，可以使用涂層用于氣體的爐內(nèi)。四川半導(dǎo)體外延生長爐來防止硅碳棒的裂化，其次在使用硅碳棒的過程中，硅碳棒表面的溫度越高，表示硅碳棒的電流量越大。一般硅碳棒的有效發(fā)熱長度在攝氏度以內(nèi)。四川半導(dǎo)體外延生長爐硅碳棒表面的實(shí)際功率是由于爐的內(nèi)溫度和硅碳棒表面的溫度決定的。硅鉬棒電流強(qiáng)度。在使用硅碳棒的時(shí)候，供電線與元件間必須有良好的接觸，避免電阻發(fā)熱過多從而造成燒毀接線。由于硅鉬棒運(yùn)行過程中熱膨脹而造成電源線松弛，應(yīng)在使用前把電源線接頭擰緊。

當(dāng)塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發(fā)生不均勻收縮，結(jié)果就導(dǎo)致應(yīng)力集中現(xiàn)象。四川半導(dǎo)體外延生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現(xiàn)象更明顯。四川半導(dǎo)體外延生長爐剛出模的時(shí)候表面上無異常，過段時(shí)間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應(yīng)力集中部位會產(chǎn)生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內(nèi)應(yīng)力、避免制品在貯存或應(yīng)用時(shí)產(chǎn)生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進(jìn)行退火處理。

經(jīng)冷塑性變形加工的工件加熱到再結(jié)晶溫度以上，保持適當(dāng)時(shí)間，通過再結(jié)晶使冷變形過程中產(chǎn)生的晶體學(xué)缺陷基本消失，重新形成均勻的等軸晶粒，以消除變形強(qiáng)化效應(yīng)和殘余應(yīng)力的退火。四川半導(dǎo)體外延生長爐一般鋼材再結(jié)晶退火溫度在六百攝氏度到七百攝氏度之間不等，四川半導(dǎo)體外延生長爐保溫一到三個(gè)小時(shí)空冷，對含質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于百分之零點(diǎn)二的普通碳鋼，在冷變形時(shí)臨界變形速度若達(dá)百分之六到百分之十五的范圍，則再結(jié)晶退火后易出現(xiàn)粗晶，因此應(yīng)避免在該范圍內(nèi)變形。

例如鈦合金于加熱和冷卻時(shí)發(fā)生同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變，低溫為α相密排六方結(jié)構(gòu))，高溫為β相體心立方結(jié)構(gòu)，其中間是“α+β”兩相區(qū)，即相變溫度區(qū)間。四川半導(dǎo)體外延生長爐為了得到接近平衡的室溫穩(wěn)定組織和細(xì)化晶粒，也進(jìn)行重結(jié)晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區(qū)間不多的溫度，保溫適當(dāng)時(shí)間，使合金轉(zhuǎn)變?yōu)棣孪嗟募?xì)小晶粒；四川半導(dǎo)體外延生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉(zhuǎn)變?yōu)棣料嗷颚?β兩相的細(xì)小晶粒。

采用新型的燃燒技術(shù)，如脈沖燃燒技術(shù)、高溫空氣燃燒技術(shù)、富氧燃燒技術(shù)等。四川半導(dǎo)體外延生長爐脈沖燃燒技術(shù)是近年來開發(fā)的一項(xiàng)行之有效的降低氮氧化合物的技術(shù)，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負(fù)荷狀態(tài)。四川半導(dǎo)體外延生長爐當(dāng)需要升溫時(shí)，燒嘴燃燒時(shí)間加長，間斷時(shí)間減少；需要降溫時(shí)，燒嘴燃燒時(shí)間減少，間斷時(shí)間加長。通過調(diào)節(jié)燃燒時(shí)間的占空比實(shí)現(xiàn)窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調(diào)整預(yù)先設(shè)定，無需在線調(diào)整，即可實(shí)現(xiàn)空氣過剩系數(shù)的控制。故脈沖燃燒技術(shù)傳熱效率高、能耗低、爐內(nèi)溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。