例如鈦合金于加熱和冷卻時發(fā)生同素異構轉變，低溫為α相密排六方結構)，高溫為β相體心立方結構，其中間是“α+β”兩相區(qū)，即相變溫度區(qū)間。蘇州半導體生長爐為了得到接近平衡的室溫穩(wěn)定組織和細化晶粒，也進行重結晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區(qū)間不多的溫度，保溫適當時間，使合金轉變?yōu)棣孪嗟募毿【Я＃?a href="/tag/%E8%8B%8F%E5%B7%9E" target="_blank">蘇州半導體生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉變?yōu)棣料嗷颚?β兩相的細小晶粒。

不完全退火不完全退火是將鐵碳合金加熱到Ac1-Ac3之間溫度，達到不完全奧氏體化，隨之緩慢冷卻的退火工藝。不完全退火主要適用于中、高碳鋼和低合金鋼鍛軋件等，其目的是細化組織和降低硬度，保溫后緩慢冷卻。蘇州半導體生長爐完全退火重結晶退火完全退火應用于平衡加熱和冷卻時有固態(tài)相變(重結晶)發(fā)生的合金。蘇州半導體生長爐其退火溫度為各該合金的相變溫度區(qū)間以上或以內的某一溫度。加熱和冷卻都是緩慢的。合金于加熱和冷卻過程中各發(fā)生一次相變重結晶，故稱為重結晶退火，常被簡稱為退火。

退火爐采用金屬熱處理退火工藝，將金屬緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時間，然后以適宜速度冷卻。蘇州半導體生長爐目的是降低硬度，改善切削加工性；消除殘余應力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒，調整組織，消除組織缺陷。蘇州半導體生長爐使經過鑄造、鍛軋、焊接或切削加工的材料或工件軟化，改善塑性和韌性，使化學成分均勻化，去除殘余應力，或得到預期的物理性能。鑄件在冷卻過程中，積累了大量的內應力，要通過退火爐來消除內應力。

目前等直徑硅碳棒的生產工藝有兩種，老工藝與新工藝，區(qū)別方法在與從燒結方式上。蘇州半導體生長爐老工藝采用的是埋藏反應燒結，新工藝采用的是高溫真空爐燒結。由于埋藏燒制需要用煤，對環(huán)境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。蘇州半導體生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產品燒結中會產生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業(yè)硅，碳粉等材料。經過成型，烘干，高溫燒結等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。