燃料種類：與燃料熱值及燃燒的產(chǎn)物量有關(guān)，熱值越高、燃燒產(chǎn)物量越低，燃燒溫度越高。廣西半導體生長爐燃料和助燃空氣的溫度：它們的溫度越高，直接帶入的顯熱越多，可提高燃燒溫度。廣西半導體生長爐空氣過剩系數(shù)：適當?shù)目諝膺^剩系數(shù)，可以保證有較高的燃燒溫度。一般α略大于1過小，不完全燃燒；過大生成的煙氣量多，會使燃燒溫度降低助燃風中氧氣的濃度：提高氧氣濃度，將使燃燒產(chǎn)物減少，可以提高燃燒溫度。爐體散熱狀況及爐內(nèi)產(chǎn)品傳熱速度。

根據(jù)塑料件品種的不同，調(diào)節(jié)退火溫度。廣西半導體生長爐把天然氣模殼焙燒爐中成型脫模后的注塑制品放在有一定溫度的加熱介質(zhì)或有熱空氣循環(huán)的烘箱中，加熱到比產(chǎn)品使用溫度高二十度到三十五度或者比產(chǎn)品的熱變形溫度低25-35度的溫度下，將產(chǎn)品放進去。過高溫度中制品要變形，但不能溫度過低，過低溫度退火，不能達到退火效果。廣西半導體生長爐退火的時間長短要視產(chǎn)品的壁厚而定，越厚的壁要退火的時間越長。熱處理時間達到要求后，制件隨介質(zhì)一起緩慢自然降溫至室溫。注意，處理后的制品如果用冷水急劇降溫或直接從熱處理介質(zhì)中取出降溫，制品由于冷卻速度的不同，又會產(chǎn)生新的內(nèi)應力。

將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規(guī)完全退火。?

將鑰匙開關(guān)打開，控制臺電源接通，電源指示燈和液壓系統(tǒng)指示燈亮。將開關(guān)撥到手動位置，手動系統(tǒng)電路接通。在不啟動油泵的情況下，只能提升和關(guān)閉前、后爐門，或?qū)t門停留在任意位置上。廣西半導體生長爐通過按下前爐門旁控制柜和控制臺上的按鈕，即可實現(xiàn)。廣西半導體生長爐在啟動油泵的情況下，不僅可以完成不啟動油泵情況下的功能外，還可以使推。拉桿工作，并可使推。拉桿停留在任意位置上，爐門升降、推，拉桿進、退均不分前后次序，通過按下前，后爐門旁控制柜和控制臺上的按鈕，即可實現(xiàn)。前后爐門旁控制柜上的紅按鈕和控制臺上的鑰匙開關(guān)均為總停，一旦發(fā)現(xiàn)進、出料情況異常，應立即按下此按鈕或切斷控制電源，以避免或減少事故的發(fā)生。

目前等直徑硅碳棒的生產(chǎn)工藝有兩種，老工藝與新工藝，區(qū)別方法在與從燒結(jié)方式上。廣西半導體生長爐老工藝采用的是埋藏反應燒結(jié)，新工藝采用的是高溫真空爐燒結(jié)。由于埋藏燒制需要用煤，對環(huán)境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。廣西半導體生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產(chǎn)品燒結(jié)中會產(chǎn)生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業(yè)硅，碳粉等材料。經(jīng)過成型，烘干，高溫燒結(jié)等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。